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一、新規概述
2024年12月2日,美國商務部工業與安全局(BIS)發布出口管制新規,進一步限制中國的人工智能和先進半導體發展。新規共兩份文件,均于2024年12月2日當天生效,其中,最終規則中與實體清單許可要求以及與腳注5指定相關的其他實體清單要求有關更改的合規日期為2024年12月31日。
第一份是152頁的臨時最終規則(IFR, Interim final rule),名為《外國直接產品規則的新增內容及對先進計算與半導體制造物項管控的改進》(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items)。該臨時最終規則對《美國出口管制條例》(EAR)的管制范圍進行了調整,包括:增加對某些半導體制造設備及相關物項的新控制措施;制定新的外國直接產品規則(FDP),以限制特定目的地或關注實體生產“先進節點集成電路”(advanced-node ICs)的能力;對用于高級計算的重要高帶寬存儲器增加新的控制要求;澄清對某些軟件工具使用的軟件密鑰的管控范圍。
第二份是58頁的最終規則(Final rule),名為《實體清單的新增與修改及從驗證最終用戶計劃(VEU)中移除》(Additions and Modifications to the Entity List; Removals from the Validated End-User)。該最終規則對EAR實體范圍進行了新增及修改,這些新增或修改的實體均涉及“先進節點集成電路”(advanced-node ICs)的開發與生產以及半導體制造相關物項,并/或支持了中國政府的軍民融合(MCF)發展戰略。同時,該最終規則將新增的9個實體及修改的7個條目指定為適用針對外國生產物項的特定實體限制的對象,并移除了3個來自經驗證最終用戶(VEU)計劃的實體。
二、《外國直接產品規則的新增內容及對先進計算與半導體制造物項管控的改進》
在本臨時最終規則(IFR)中,美國工業與安全局(BIS)對《出口管理條例》(EAR)中的高級計算項目、超級計算機和半導體制造設備(SME)管控進行了變更。該IFR實施的五類變更描述如下:
A.在EAR第734.9條中新增兩項新的外國直接產品規則(FDP),分別適用于某些類型的高級SME和涉及生產“先進節點IC”(“advanced-node ICs”)的實體清單中的實體;
B.與半導體生產相關的其他修訂和一致性變更,包括對與新的FDP規則相關的最低含量比例規定的修訂、建立新的許可例外受限制造“設施”(RFF)、新增八項新的警示信號、對第744.23條的澄清、對EAR其他部分的修訂和一致性變更;
C.增加了HBM(高帶寬存儲器)的管控,包括新增出口管制分類編號(ECCN)3A090.c和許可例外HBM;
D.對軟件密鑰的澄清,以明確何時需要獲得授權;
E. 對補充部分774.1號部分的CCL的修訂,包括對八個現有ECCN的修訂和新增八個ECCN。下文將逐項展開解釋。
(一)增加“先進節點IC”相關的兩項新FDP規則
本IFR實施了一項新的FDP規則,適用于某些對于生產“先進節點IC”至關重要或支持其生產的半導體制造設備(SME);同時該規則引入了一項針對實體清單中標注腳注5(FN5)的新FDP規則(FN5 FDP)。
BIS為減少美國技術對中國推進“先進節點IC”生產的支持,通過增加對SME及相關部件、組件的管控,以及新增適用FDP規則的范圍,對EAR法規進行了擴展,包括修訂第734.9(e)節,新增產品范圍和終端用戶范圍。盡管已有管控措施生效,BIS發現一些中國相關實體仍在購買包含使用美國技術、軟件或工具生產的部件的SME物項,基于這些發現,本IFR實施了“半導體制造設備外國直接產品規則”(SME FDP)和“腳注5實體外國直接產品規則”(FN5 FDP),這些規則將對用于生產“先進節點IC”的某些SME物項施加額外的管控。
1.半導體制造設備外國直接產品規則(SME FDP)
SME FDP規則適用于某些外國生產的特定商品,若受EAR管轄,則被納入管控范圍,且目標范圍包括中國澳門或EAR第740部分補充1中的D:5組國家。
2.腳注5實體外國直接產品規則(FN5 FDP)
FN5 FDP規則適用于實體清單中被標注腳注5的實體。這些實體被標注的原因是涉及支持中國軍隊現代化建設的活動,包括生產“先進節點IC”用于潛在軍事用途。
根據FN5 FDP規則,與半導體生產相關的某些外國制造商品,如3B001(部分條目除外)、3B002(部分條目除外)、3B903、3B991、3B992、3B993或3B994中描述的商品,若受EAR管轄,則被納入管控范圍。
3.與新增兩項規則相關的許可要求和審核政策
本IFR更新了EAR中關于國家安全(NS)和區域穩定(RS)控制的許可要求。對于腳注5實體,如果外國制造的商品符合相關條款的描述且用于支持軍事用途,則需申請許可。本規則進一步明確了“境內轉讓”概念,并為符合相關條款的交易提供了許可證審核政策。
對于腳注5實體,BIS新增了一項“逐案審核”政策(case-by-case review),具體規定在第744.11(a)(2)(v)(B)節。如果某外國商品不符合該部分許可要求但其功能與受EAR許可要求管控的商品相同,則該商品仍需接受逐案審核。
(二)與半導體生產相關的其他修訂及一致性變更
注:本節內容未窮盡列舉,僅列舉主要修訂內容,完整規則請參見美國商務部公布的官方文件。
1.新增與FN5和SME FDP規則對應的最低比例(De Minimis)規定及相關調整
本IFR在EAR第734.4(a)(8)和第734.4(a)(9)節新增了最低比例原則相關的規定,新增部分確保了含有美國原產IC(或其他部件)的外國生產半導體制造設備(SME)受到與SME FDP規則和FN5 FDP規則相同的管控。
第734.4(a)(8)節:當商品被納入美國原產集成電路(IC)或包含《商業管制清單》(CCL)第3、4或5類中指定的美國原產IC,且該商品被出口至中國澳門或EAR第740部分補充1中的D:5組國家時,無最低比例門檻適用。除非該商品被排除在國家安全許可要求(第742.4(a)(4)節)或區域穩定許可要求(第742.6(a)(6)節)之外。
第734.4(a)(9)節:當商品符合CCL第3B類(部分條目除外)的商品被納入美國原產IC或包含CCL第3、4或5類中指定的美國原產IC,且該商品出口至實體清單中在許可要求欄標注腳注5的實體時,也不適用最低比例門檻。
2.新增許可證例外“受限制造設施”(RFF, Restricted Fabrication Facility)
本IFR新增一項許可證例外RFF,該例外僅適用于非“先進節點IC”(advanced-node ICs)的生產,并通過建立護欄和監控框架以解決美國的國家安全問題。
許可證例外RFF的使用需符合以下條件:(1)不包括用于生產“先進節點IC”(advanced-node ICs)的物項;(2)要求發運前通知、進行最終用途監控以及提供年度報告;(3)限制操作、安裝、維護、維修、檢修或翻新不符合RFF資格的物項。
3.新增八項“紅旗”(Red Flags)以協助合規
本IFR在EAR第732部分補充3中,新增了8項紅旗(第(b)(20)至(b)(27)段),為出口商、再出口商和轉讓方的合規程序提供了進一步指導。8項新增紅旗具體如下:
紅旗1:當一個非先進制造設施訂購用于“先進節點IC”(advanced-node ICs)生產的設備(例如,符合EAR第742.4(a)(4)節ECCN的設備)時,該種技術用途不匹配表明該設施正在或計劃生產“先進節點ICs”,即構成紅旗,出口商、再出口商或轉讓方在繼續交易之前必須解決該紅旗。
紅旗2:當出口商、再出口商或轉讓方收到一個訂單,其中物品的最終所有者或用戶不明確(例如,設備被要求發貨至一個沒有生產能力的分銷商,而該設備通常是為最終用戶定制或由供應商安裝),此種情形下,分銷商不會是此類設備的最終用戶,說明最終受益人未知,此種情形構成紅旗,出口商需針對先進計算設備、超級計算機或半導體制造設備(SME)進行盡職調查并解決該紅旗。
紅旗3:當訂單涉及需要獲得美國商務部或其他管轄區域許可的物品,而出口商、再出口商或轉讓方不確定該物品是否曾被正確授權出口、再出口或國內轉讓時,這種不確定性構成紅旗。例如,當已知信息表明最終用戶可能未獲得許可,或ECCN與最終用戶目的地的組合觸發了“拒絕假定”的審查政策時,出口商必須在繼續相關交易前解決該紅旗,以避免違反EAR第764.2(e)條款的風險。
紅旗4:如果出口商、再出口商或轉讓方收到請求,要求為一件經第三方修改后用于更高端用途的物品提供服務、安裝、升級或維護,而這種用途通常需要目的地許可證,這種情況構成紅旗,出口商需在繼續交易前解決該問題。
紅旗5:當一個新客戶的高級管理層或技術領導層(例如開發或生產活動的團隊負責人)與實體清單上的實體有重疊,且供應商曾在該實體被列入實體清單之前為其提供過相同或類似物品或服務時,此種情形構成紅旗,出口商需進行額外盡職調查以解決問題。
紅旗6:如果一個新客戶要求提供為現有或前客戶設計的物品或服務,而該前客戶已被列入實體清單,則新客戶可能接管了被列入清單實體的業務,繼續從事相同被禁止的最終用途,這種情況構成紅旗,出口商需在繼續交易前解決。
紅旗7:在分析實體清單FDP規則(外國直接產品規則)適用范圍時,如果一個外國生產的物品被描述為相關ECCN(例如,EAR第734.9(e)(3)(i)或第734.9(k)(1)節),且包含至少一個集成電路(IC),此種情形表明該物品可能受相關FDP規則的管控,需解決該紅旗后才能繼續交易。
紅旗8:當最終用戶是一個與“先進節點IC”生產設施物理相連的“設施”時,這種物理連接可能允許在多個建筑之間進行集成電路生產,從而使所有相連設施都被視為從事“先進節點IC”生產。這種情況構成紅旗,出口商應向BIS提交咨詢意見以解決問題,否則這些設施將按單一“設施”處理并受EAR第744.23節的許可要求管控。
4.修改“先進節點IC”的定義以涵蓋動態隨機存取存儲器(DRAM, Dynamic Random Access Memory)
本IFR修改了EAR第772.1節中“先進節點集成電路”(Advanced-Node IC)的定義,更新了DRAM IC的技術標準,將“18納米半間距或更小”的生產工藝標準替換為以下兩個標準之一:(1)存儲單元面積小于0.0019平方微米;(2)存儲密度大于每平方毫米0.288千兆位。
(三)增加高帶寬內存(HBM)管控
本IFR在ECCN 3A090中,新增加3A090.c條目規定,對內存帶寬密度超過每平方毫米2 GB/秒的HBM實施控制;同時,還為3A090.c新增了一項技術說明,規定“內存帶寬密度”是指以每秒GB為單位測量的封裝或堆棧的內存帶寬除以以平方毫米為單位測量的封裝或堆棧的面積。此外,如果堆棧包含在封裝中,則應使用封裝設備的內存帶寬和封裝面積進行分類。
同時,本IFR在EAR其他部分進行了八項一致性調整,以配合3A090.c條目的增加,包括新增3A090.c的HBM許可證例外、ECCN 3D001、3E001、報告要求以及其他相關許可規則的調整。
(四)針對受控軟件密鑰的澄清
本IFR對現有第734.19節(訪問信息的轉讓)進行了修訂,將現有條款重新指定為新(a)段,并新增(b)段,同時增加了第(b)段的注釋2,以說明軟件許可證密鑰的出口管控方式。IFR同步新增了第734.19(b)段,明確了軟件密鑰(或稱軟件許可證密鑰)的適用范圍:這些密鑰允許用戶訪問特定的軟件或硬件,例如“解鎖”這些軟件或硬件的使用權限,或允許續訂現有軟件和硬件的使用許可,從而繼續使用已授權的軟件或硬件。
在本次修訂之前,第734.19節的原文僅描述了“訪問信息”的轉讓,而未涉及那些允許訪問但不屬于第772部分定義的“訪問信息”的軟件許可證密鑰。本次IFR通過新增(b)段,明確了軟件密鑰的EAR處理方式。
(五)針對《商業管制清單》(CCL)的修訂
針對半導體制造相關設備、軟件及技術的出口管控,本IFR對CCL進行了多項修訂,包括:ECCN 3B001新增和更新了對特定外延材料、刻蝕設備、低介電常數薄膜設備及高級光刻設備的控制,同時調整部分參數以適應先進節點IC生產需求;新增ECCN 3B993和3B994,用于區分支持先進節點IC生產但在非先進節點生產中亦有合法應用的設備,并針對其制定了更高的區域穩定(RS)管控;新增ECCN 3D992、3D993、3E992及3E993,分別控制相關設備的“開發”或“生產”軟件與技術;針對ECCN 3B002、3B991及3B992進行相應調整;新增ECCN 3D994和3E994,進一步管控支持3B994物項的“軟件”和“技術”。
三、《實體清單的新增與修改及從驗證最終用戶計劃(VEU)中移除》
在本最終規則(FR)中,BIS修訂了EAR,新增了140個實體至實體清單。這些新增實體位于中國、日本、韓國和新加坡,被美國政府認定為從事與美國國家安全和外交政策利益相悖的活動。此外,本規則還對實體清單中的14個中國相關條目進行了修改。所有新增或修改的實體均參與“先進節點IC”和/或半導體制造物項的開發和生產,或者支持了中國政府的軍民融合發展戰略(MCF)。
本規則將新增的9個實體和修改的7個條目指定為適用特定實體的外國直接產品規則限制的對象。本規則還通過從驗證最終用戶(VEU)計劃中移除三個實體,對EAR進行了進一步修訂。
驗證最終用戶(VEU, Validated End User)計劃是BIS設立的一種白名單機制,旨在簡化對特定企業出口受管控技術和物品的流程。通過該計劃,符合條件的企業可以預先獲得美國政府的批準,在無需單獨申請出口許可的情況下接收指定的管控物品。VEU計劃的目的是在確保國家安全的前提下,促進合法的國際貿易和技術轉讓,同時減少行業的許可負擔。
四、企業應對策略簡述
近期美國商務部對EAR的修訂及實體清單的更新顯著加強了對先進計算技術、半導體制造設備及相關技術的管控力度。這些變化通過新增技術管控規則、調整紅旗識別條件、強化外國產品直接規則(FDP),以及擴展經驗證最終用戶(VEU)計劃,明確了美國對技術出口安全的高度關注。
2024年12月3日,中國商務部通過公告加強對相關兩用物項對美出口的管制,明確禁止對美軍事用戶或用途的出口,并對鎵、鍺、銻等關鍵材料實施更嚴格審查。這一公告旨在回應近期美國加強出口管制的舉措,維護我國的國家安全與利益,體現了中方的堅定立場和反制措施。
為應對這些挑戰,企業可以考慮采取的措施包括但不限于:
1.加強供應鏈風險管理和技術自主性研發(如供應鏈評估與替代、自主研發投入、核心技術儲備);
2.完善出口管制合規體系與內部培訓(如出口合規審查、內部合規培訓);
3.加強國際市場多元化布局(如分散市場依賴、國際技術合作)等。
由于篇幅原因,不再就上述建議詳細闡述,我們將于下周繼續跟進并詳細解釋說明。
*實習律師朱一陽對本文亦有貢獻
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